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Power Integrations 發佈基於氮化鎵的 InnoSwitch3 AC-DC 轉換器 IC

本文作者:Power       點擊: 2019-07-29 10:58
前言:
進階氮化鎵 (GaN) 技術可顯著提高功率和效率
2019年7月25日--Power Integrations (Nasdaq:POWI) 這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商,今日宣佈推出其 InnoSwitch™3 系列離線 CV/CC 返馳式切換開關 IC 的新成員。新型 IC 在整個滿載範圍內的效率高達 95%,在密封式轉換器實作中效率高達 100 W,且無需散熱器。使用內部開發的高壓 GaN 切換開關技術實現了這種突破性的效能提升。
 

 
準諧振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP 和 InnoSwitch3-Pro IC 將一次側、二次側和回授電路整合在單一表面接合封裝中。在最新發佈的系列成員中,GaN 切換開關取代了 IC 一次側的傳統矽高壓電晶體,減少了電流流過時的導通損耗,並大大降低了運作期間的切換損失。這樣可以大大減少能源浪費,從而提高節省空間的 InSOP-24D 封裝的效率和功率輸送。

新型 IC 面向行動裝置、機上盒、顯示器、家電、網路和遊戲產品的 USB-PD 和高電流充電器/轉換器等高效率返馳式設計,提供不受外部元件影響的精準 CV/CC/CP,並可輕鬆連接到快速充電的通訊協定 IC。InnoSwitch3-CP 和 -EP 變異體是可設定硬體的產品,而 InnoSwitch3-Pro 則整合了複雜的數位介面,用於 CV 和 CC 設定點的軟體控制、例外情況處理和安全模式選項。

Power Integrations 的總裁暨執行長 Balu Balakrishnan 表示:「GaN 是一項關鍵技術,與矽相比具有顯著的效率和尺寸優勢。我們預計在許多電源應用中,矽電晶體將快速轉換為 GaN。自從我們在 18 個月前推出矽變異體以來,InnoSwitch3 一直是離線式切換開關 IC 市場的技術領導者,基於 GaN 的新型 IC 透過提高我們返馳式產品的效率和功率能力,進一步擴大了我們的領先優勢」。

Power Integrations 的新型 InnoSwitch 3 IC 現已上市,單價為每件 4 美元,每次訂購數量為 10,000 件。Power Integrations 網站提供了五種新的參考設計,說明了 60 W 至 100 W 的 USB-PD 充電器,以及自動化設計工具 PI Expert™ 和其他技術支援文件。

關於 Power Integrations
Power Integrations, Inc. 是高壓功率轉換專用半導體技術的領導創新廠商。該公司的產品在綠色能源生態系統中起著關鍵作用,不僅能夠利用可再生能源發電,還能在從毫瓦到兆瓦等各種應用中實現高效的功率傳輸及消耗。如需詳細資訊,請參考
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